[发明专利]一种提高方阻均匀性的发射极制备方法在审
| 申请号： | 201911328455.5 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111048623A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 邱家梁;黄惜惜;周肃;黄国平;李菁楠 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 镇江基德专利代理事务所(普通合伙) 32306 | 代理人： | 邓月芳 |
| 地址： | 212000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，硅片预处理后在硅片表面沉积一层掺磷(硼)氧化硅层；PN结制备时，利用扩散炉不添加掺杂气源进行高温扩散。本发明通过在硅片表面沉积一层掺磷(硼)的氧化硅层，此过程中，形成的氧化硅层具有优异的均匀性，为后续步骤提供了更加均匀的前提，使用扩散炉进行高温扩散，不添加掺杂气源，利用均匀的掺磷(硼)氧化硅层，实现高均匀性方阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 均匀 发射极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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