[发明专利]一种提高方阻均匀性的发射极制备方法

权利要求书

1.一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，包括以下步骤，其特征在于；

(1)硅片预处理：对硅片进行清洗和减反射表面制备；

(2)磷(硼)硅玻璃层沉积；

(3)PN结制备：在P型硅正面进行扩散，形成N型发射极；在N型硅正面进行扩散，形成P型发射极；

(4)表面钝化：对硅片进行热退火，然后在硅片背面进行氧化铝和氮化硅的膜层制备，在硅片正面和背面进行氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、氧化铝、非晶硅、透明导电层等减反射膜的制备；

(5)金属化：在硅片表面进行背电极、背电场以及正面电极制备，并进行固化、烧结，完成电池制备。

2.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，其特征在于，步骤(2)中，掺磷(硼)氧化硅层使用等离子气相辅助化学沉积法沉积而成。

3.根据权利要求2所述的一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，其特征在于，其中等离子气相辅助化学沉积法沉积掺磷(硼)氧化硅层使用管式或平板式等离子气相辅助化学沉积法的方式进行。

4.根据权利要求2所述的一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，其特征在于，使用等离子气相辅助化学沉积法沉积时，加热温度为200-400℃；反应气体硅烷使用氮气稀释，硅烷的浓度＜10％；氧化性气体笑气的流量为0.5-1L/min；反应气体磷烷浓度为0.02-0.2％，流量0.6-1L/min；反应室气体总压力为0.06-3托。