[发明专利]一种提高方阻均匀性的发射极制备方法

说明书

本发明公开了一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，硅片预处理后在硅片表面沉积一层掺磷(硼)氧化硅层；PN结制备时，利用扩散炉不添加掺杂气源进行高温扩散。本发明通过在硅片表面沉积一层掺磷(硼)的氧化硅层，此过程中，形成的氧化硅层具有优异的均匀性，为后续步骤提供了更加均匀的前提，使用扩散炉进行高温扩散，不添加掺杂气源，利用均匀的掺磷(硼)氧化硅层，实现高均匀性方阻。

技术领域

本发明具体涉及一种提高方阻均匀性的发射极制备方法。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，高方阻的发射区制备技术越来越受到高效太阳能电池研发的重视。

其中PN结的制备是最关键的步骤之一，对于晶硅电池的光电转换效率起到了非常重要的作用。目前行业的趋势是逐步提高扩散方阻，进一步提升电池效率。

专利CN104319308A公开了一种提高方阻扩散均匀性的方法，该专利使用缓冲层降低扩散速度，专利CN207282513U公开了一种提高方阻均匀性的方法，该专利通过改善扩散炉结构来提高气体分布均匀性，但是随着硅片尺寸逐渐增大，需要更多的考虑由此带来的不利影响。

发明内容

本发明的目的是为了解决以上现有技术的不足，提出了一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，包括以下步骤：

(1)硅片预处理：对硅片进行清洗和减反射表面制备；

(2)磷(硼)硅玻璃层沉积；

(3)PN结制备：在P型硅正面进行扩散，形成N型发射极；在N型硅正面进行扩散，形成P型发射极；

(4)表面钝化：对硅片进行热退火，然后在硅片背面进行氧化铝和氮化硅的膜层制备，在硅片正面和背面进行氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、氧化铝、非晶硅、透明导电层等减反射膜的制备；

(5)金属化：在硅片表面进行背电极、背电场以及正面电极制备，并进行固化、烧结，完成电池制备。

优选地，步骤(2)中，掺磷(硼)氧化硅层使用等离子气相辅助化学沉积法沉积而成。

优选地，其中等离子气相辅助化学沉积法沉积掺磷(硼)氧化硅层使用管式或平板式等离子气相辅助化学沉积法的方式进行。

优选地，使用等离子气相辅助化学沉积法沉积时，加热温度为200-400℃；反应气体硅烷使用氮气稀释，硅烷的浓度＜10％；氧化性气体笑气的流量为0.5-1L/min；反应气体磷烷浓度为0.02-0.2％，流量0.6-1L/min；反应室气体总压力为0.06-3托。

有益效果：

1、本发明通过在硅片表面沉积一层掺磷(硼)的氧化硅层，此过程中，形成的氧化硅层具有优异的均匀性，为后续步骤提供了更加均匀的前提。

2、本发明使用扩散炉进行高温扩散，不添加掺杂气源，利用均匀的掺磷氧化硅层，实现高均匀性方阻。

附图说明

图1是使用等离子气相辅助化学沉积法沉积掺杂氧化硅后再扩散的硅片进行方阻测试之后的对比图。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。

一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，包括以下步骤：

(1)硅片预处理：对硅片进行清洗和减反射表面制备；

(2)磷(硼)硅玻璃层沉积；

(3)PN结制备：在P型硅正面进行扩散，形成N型发射极；在N型硅正面进行扩散，形成P型发射极；