[发明专利]IGBT功率器件有效
| 申请号： | 201911183421.1 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112864234B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;刘磊;刘伟;袁愿林;王鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/739;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种IGBT功率器件，包括位于两个p型体区和两个所述p型体区之间的n型漂移区之上的栅介质层，位于所述栅介质层之上的n型浮栅；位于所述栅介质层和所述n型浮栅之上的栅极，且在横向上所述栅极覆盖所述n型浮栅的两侧侧壁；介于所述栅极与所述n型浮栅之间的绝缘介质层；位于所述栅介质层中的第一开口，所述n型浮栅通过所述第一开口与其中一个所述p型体区接触形成p‑n结二极管；位于所述栅介质层中的第二开口，所述n型浮栅通过所述第二开口与另一个所述p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明能够提高IGBT功率器件的反向恢复速度。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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