[发明专利]IGBT功率器件

权利要求书

1.一种IGBT功率器件，其特征在于，包括：

n型集电极区和p型集电极区，位于所述n型集电极区和所述p型集电极区之上的n型漂移区，位于所述n型漂移区顶部的至少两个p型体区，两个所述p型体区被所述n型漂移区隔离；位于每个所述p型体区内的n型发射极区；

位于两个所述p型体区和两个所述p型体区之间的n型漂移区之上的栅介质层，位于所述栅介质层之上的n型浮栅；位于所述栅介质层和所述n型浮栅之上的栅极，且在横向上所述栅极覆盖所述n型浮栅的两侧侧壁；介于所述栅极与所述n型浮栅之间的绝缘介质层；

位于所述栅介质层中的第一开口，所述n型浮栅通过所述第一开口与其中一个所述p型体区接触形成p-n结二极管；

位于所述栅介质层中的第二开口，所述n型浮栅通过所述第二开口与另一个所述p型体区接触形成p-n结二极管。

2.如权利要求1所述的IGBT功率器件，其特征在于，所述n型浮栅在所述栅介质层之上被绝缘层分隔为第一n型浮栅和第二n型浮栅，所述第一n型浮栅通过所述第一开口与其中一个所述p型体区接触形成p-n结二极管，所述第二n型浮栅通过所述第二开口与另一个所述p型体区接触形成p-n结二极管。

3.如权利要求1所述的IGBT功率器件，其特征在于，还包括位于所述n型集电极区和所述p型集电极区之上的n型场截止区，所述n型场截止区位于所述n型漂移区下方。

4.如权利要求1所述的IGBT功率器件，其特征在于，所述第一开口位于所述n型浮栅下方且靠近所述n型漂移区设置。

5.如权利要求1所述的IGBT功率器件，其特征在于，所述第二开口位于所述n型浮栅下方且靠近所述n型漂移区设置。