[发明专利]半导体功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811360699.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111192915A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 毛振东;刘伟;刘磊;袁愿林 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括第一导电类型的漏区；位于所述漏区之上的第二导电类型的外延层；位于所述外延层内的交替排列的栅沟槽和第二导电类型的体区；位于所述体区中的第一导电类型的源区；位于所述栅沟槽的上部的第一栅极；至少位于所述栅沟槽的下部的第二栅极；所述第一栅极、所述第二栅极与所述外延层之间由绝缘介质层隔离；位于所述外延层内的第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区围绕所述栅沟槽的下部且与所述漏区连接。本发明在半导体功率器件中引入了电荷平衡结构，能够降低半导体功率器件的特征导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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