[发明专利]半导体功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811360699.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111192915A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 毛振东;刘伟;刘磊;袁愿林 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的漏区；
位于所述漏区之上的第二导电类型的外延层；
位于所述外延层内的交替排列的栅沟槽和第二导电类型的体区；
位于所述体区中的第一导电类型的源区；
位于所述栅沟槽的上部的第一栅极；
至少位于所述栅沟槽的下部的第二栅极；
所述第一栅极、所述第二栅极与所述外延层之间由绝缘介质层隔离；
位于所述外延层内的第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区围绕所述栅沟槽的下部且与所述漏区连接。
2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第二栅极从所述栅沟槽的下部向上延伸至所述栅沟槽的上部。
3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅沟槽的上部的宽度大于所述栅沟槽的下部的宽度。
4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一栅极接栅极电压，所述体区、所述源区与所述第二栅极均接源极电压。
5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
6.一种半导体功率器件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的外延层；
在所述外延层内形成第一沟槽；
在所述第一沟槽内形成第一栅极；
在所述外延层内形成位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；
进行离子注入，在所述外延层内形成围绕所述第二沟槽的第一导电类型的掺杂区；
至少在所述第二沟槽内形成第二栅极，其中，所述第一栅极、所述第二栅极和所述外延层相绝缘。
7.如权利要求6所述的半导体功率器件的制造方法，其特征在于，所述第二栅极从所述第二沟槽内向上延伸至所述第一沟槽内。
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