[发明专利]一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法有效
| 申请号： | 201811266057.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585351B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 钱洪强;张树德;彭嘉琪;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，采用酸性溶液体系对硅片进行刻蚀，所述酸性溶液体系中包括体积比例为1:1~3的氢氟酸和硝酸；所述酸性溶液体系还包括添加剂，所述添加剂为硅烷偶联剂、柠檬酸、聚乙烯醇、酒石酸中一种或几种的混合液；采用主光源和辅助光源对硅片进行照射并通过摄像头获取硅片表面的图片以捕捉激光标记点的位置，其中主光源设置于硅片的正上方并正对硅片，辅助光源位于硅片的侧上方；实现激光标记点的精准对位和铝栅线的精确覆盖，从而提高印刷时背铝栅线的对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 双面 太阳电池 背铝栅线 对准 精度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，其特征在于：采用酸性溶液体系对硅片进行刻蚀，所述酸性溶液体系中包括体积比例为1:1~3的氢氟酸和硝酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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