[发明专利]一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法

说明书

本发明公开了一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，采用酸性溶液体系对硅片进行刻蚀，所述酸性溶液体系中包括体积比例为1:1~3的氢氟酸和硝酸；所述酸性溶液体系还包括添加剂，所述添加剂为硅烷偶联剂、柠檬酸、聚乙烯醇、酒石酸中一种或几种的混合液；采用主光源和辅助光源对硅片进行照射并通过摄像头获取硅片表面的图片以捕捉激光标记点的位置，其中主光源设置于硅片的正上方并正对硅片，辅助光源位于硅片的侧上方；实现激光标记点的精准对位和铝栅线的精确覆盖，从而提高印刷时背铝栅线的对准精度。

技术领域

本发明属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法。

背景技术

近年来，随着节能减排政策的深入推进，绿色无污染的太阳能光伏发电应用越来越广，也逐渐为人们所熟知。而光伏组件作为发电系统的基本单元，高单位面积发电量和低成本是众多光伏业主优先关注的对象，双面组件技术因其双面发电的特征应运而生。多晶在光伏市场中占据主导地位，PERC（passivated emitter and rear cell）电池由于其更高的效率和较高技术成熟度逐渐替代常规电池得到市场的认可，而在PERC电池的基础上制作的多晶双面电池可以实现低成本，高发电量的效果。

在制作多晶双面PERC电池流程中，需要对背面进行激光开槽和制作MARK点（激光标记点），然后在丝网印刷铝栅线过程中精确对位使铝栅线完全覆盖住激光开槽区域从而在后期高温烧结过程中形成铝硅合金以便电流的导出。由于多晶晶界的特殊性会形成不同晶向的腐蚀结构，从而导致激光制作MARK点在后期印刷过程中摄像头图片上的模糊，对准度差的问题。针对这个问题暂未找到相关专利描述相关的解决办法。

目前，无针对解决这一方面的专利，实际无批量生产的完全解决方案，改善方向主要是通过更换高清摄像头，通过改善软件的方法来抓点判断。然而，这类改善方案具有如下缺点：更换高清摄像头需要额外较大的生产成本投入，而且无法完全避免漏印、偏印现象。多晶固有特性晶界杂乱无章，在常规刻蚀去除背面损伤过程中还是会放大这种差异从而导致MARK点在印刷摄像头中的对比度差，出现漏印和偏印。

发明内容

针对上述技术问题，本发明旨在提供一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，实现激光标记点的精准对位和铝栅线的精确覆盖，从而提高印刷时背铝栅线的对准精度。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，采用酸性溶液体系对硅片进行刻蚀，所述酸性溶液体系中包括比例为1:1~3的氢氟酸和硝酸。

进一步地，所述酸性溶液体系还包括添加剂。

更进一步地，所述添加剂为硅烷偶联剂、柠檬酸、聚乙烯醇、酒石酸中一种或几种的混合液。

进一步地，采用主光源和辅助光源对硅片进行照射并通过摄像头获取硅片表面的图片以捕捉激光标记点的位置，其中主光源设置于硅片的正上方并正对硅片，辅助光源位于硅片的侧上方。

更进一步地，主光源照射到硅片上的光束与辅助光源照射到硅片上的光束之间形成大于零小于90度的夹角。

更进一步地，所述辅助光源为可见光源或红外光源。

更进一步地，所述辅助光源的数量为一或多个，并设于所述主光源的旁侧。

更进一步地，所述主光源设于所述摄像头的旁侧。

更进一步地，通过工作台承载硅片，根据捕捉到的激光标记点的位置，将硅片对准后，工作台将硅片送入印刷设备。

进一步地，所述硅片为多晶硅片。

本发明采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：