[发明专利]一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法

权利要求书

1.一种提高多晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：采用酸性溶液体系对硅片进行刻蚀，所述酸性溶液体系中包括体积比例为1:1~3的氢氟酸和硝酸；通过输送装置承载硅片，并将硅片运送至对准装置下方，将硅片对准后送入印刷设备；

其中，所述对准装置包括主光源、设于所述主光源旁侧的辅助光源及用于获取硅片表面图像的摄像头，所述输送装置包括用于承载硅片的工作台，所述工作台位于对准装置之下并可自所述对准装置下方经过；当硅片被运送至所述对准装置下方时，所述主光源位于硅片的正上方并正对硅片，所述辅助光源位于硅片的侧上方，通过所述工作台承载硅片，根据捕捉到的激光标记点的位置，将硅片对准后，工作台将硅片送入印刷设备；

所述输送装置还包括能够转动的旋转机构，所述工作台设置于所述旋转机构上而由所述旋转机构带动转动，当所述工作台上的硅片经所述摄像头拍摄后，所述旋转机构转动使得硅片随工作台进入下一工位，由设于下一工位的印刷设备在硅片上印刷背铝栅线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述酸性溶液体系还包括添加剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述添加剂为硅烷偶联剂、柠檬酸、聚乙烯醇、酒石酸中一种或几种的混合液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：主光源照射到硅片上的光束与辅助光源照射到硅片上的光束之间形成大于零小于90度的夹角。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述辅助光源为可见光源或红外光源。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述辅助光源的数量为一或多个，并设于所述主光源的旁侧。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述主光源设于所述摄像头的旁侧。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片为多晶硅片。