[发明专利]一种功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810456344.1 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108417545B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 何名江;钟剑梅 | 申请（专利权）人： | 上海芯龙半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人： | 冯铁惠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件及其制备方法，包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板、散热组件，所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区，所述隔离区上至少开设有两个沟槽，所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的氧化层及连接所述氧化层与所述基板的金属层；上述功率器件的制备方法，包括步骤：A、提供一个芯片，所述芯片包括相对的正面和背面，在所述芯片正面的隔离区刻蚀形成沟槽；B、在所述芯片的正面的沟槽内填充氧化层和金属层；C、在所述芯片的背面的隔离区刻蚀形成沟槽；D、在所述芯片的背面的沟槽内填充氧化层和金属层；E、对所述芯片的正面及背面进行双面封装。其能提高功率器件的散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其特征在于：包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板、散热组件，所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区，所述隔离区上至少开设有两个沟槽，所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的氧化层及连接所述氧化层与所述基板的金属层。
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