[发明专利]一种功率器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810456344.1 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN108417545B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 何名江;钟剑梅 申请(专利权)人: 上海芯龙半导体技术股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 北京艾皮专利代理有限公司 11777 代理人: 冯铁惠
地址: 200120 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种功率器件,其特征在于:包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板、散热组件,所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区,所述隔离区上至少开设有两个沟槽,所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的氧化层及连接所述氧化层与所述基板的金属层;所述功率器件还包括粘附层,所述粘附层用于将所述金属层与所述基板固定连接;所述金属层呈“T”字型,所述金属层一部分与氧化层接触,另一部分用于连接所述芯片及所述基板。

2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于:所述功率器件还包括设置于基板上远离所述芯片一侧的散热片。

3.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于:所述基板为覆铜陶瓷基板。

4.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于:所述氧化层为氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于:所述沟槽为四个,且互相平行设置。

6.一种如权利要求1所述的功率器件的制备方法,其特征在于,包括步骤:

A、提供一个芯片,所述芯片包括相对的芯片正面和芯片背面,在所述芯片正面的隔离区刻蚀形成沟槽;

B、在所述芯片正面的沟槽内填充氧化层和金属层;

C、在所述芯片背面的隔离区刻蚀形成沟槽;

D、在所述芯片背面的沟槽内填充氧化层和金属层;

E、对所述芯片正面及芯片背面进行双面封装。

7.根据权利要求6所述功率器件的制备方法,其特征在于:所述功率器件还包括覆铜陶瓷基板、散热片、粘附层,所述金属层与所述覆铜陶瓷基板通过所述粘附层固定连接。

8.根据权利要求7所述功率器件的制备方法,其特征在于:所述粘附层的材质均为环氧树脂胶。

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