[发明专利]一种功率器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种功率器件及其制备方法，包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板、散热组件，所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区，所述隔离区上至少开设有两个沟槽，所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的氧化层及连接所述氧化层与所述基板的金属层；上述功率器件的制备方法，包括步骤：A、提供一个芯片，所述芯片包括相对的正面和背面，在所述芯片正面的隔离区刻蚀形成沟槽；B、在所述芯片的正面的沟槽内填充氧化层和金属层；C、在所述芯片的背面的隔离区刻蚀形成沟槽；D、在所述芯片的背面的沟槽内填充氧化层和金属层；E、对所述芯片的正面及背面进行双面封装。其能提高功率器件的散热效率。

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种功率器件及其制备方法。

背景技术

功率器件正朝着模块化、智能化的方向发展，大规模、超大规模集成电路的出现导致功率器件的集成度越来越高，基板上各类芯片的组装数及组装密度也越来越大要缩小功率电子模块的体积，进一步提高功率密度，就要求无论在稳态还是瞬态条件下，功率模块都能够拥有良好的电热性能。这些都导致功率器件在使用过程中承受越来越多的高温或温度漂移，高温对功率器件的可靠性及寿命有很大影响，进而导致产品提前失效。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种功率器件，其能提高功率器件的散热效率；

本发明的目的之二在于提供一种功率器件的制备方法。

本发明的目的之一采用以下技术方案实现：

一种功率器件，包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板、散热组件，所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区，所述隔离区上至少开设有两个沟槽，所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的氧化层及连接所述氧化层与所述基板的金属层。

优选的，所述功率器件还包括粘附层，所述粘附层用于将所述金属层与所述基板固定连接。

优选的，所述功率器件还包括设置于基板上远离所述芯片一侧的散热片。

优选的，所述基板为覆铜陶瓷基板。

优选的，所述氧化层为氧化硅层。

优选的，所述金属层呈“T”字型，所述金属层一部分与氧化层接触，另一部分用于连接所述芯片及所述基板。

优选的，所述沟槽为四个，且互相平行设置。

本发明的目的之二采用以下技术方案实现：

一种上述功率器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、提供一个芯片，所述芯片包括相对的芯片正面和芯片背面，在所述芯片正面的隔离区刻蚀形成沟槽；

B、在所述芯片正面的沟槽内填充氧化层和金属层；

C、在所述芯片背面的隔离区刻蚀形成沟槽；

D、在所述芯片背面的沟槽内填充氧化层和金属层；

E、对所述芯片正面及芯片背面进行双面封装。

进一步地，所述功率器件还包括覆铜陶瓷基板、散热片、粘附层，所述金属层与所述覆铜陶瓷基板通过所述粘附层固定连接。

进一步地，所述粘附层的材质均为环氧树脂胶。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：

本功率器件芯片上的隔离区上至少设置有两个沟槽，该沟槽内连接有散热效率较高的氧化层和金属层，该氧化层和金属层能把芯片内的热量传递给基板，使芯片内的热量被散发出去，从而提高了本功率器件的散热效率。

附图说明