[实用新型]一种用于检测功率VDMOS寄生三极管效应测试结构有效
| 申请号： | 201720366282.6 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN206774551U | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 肖添;唐昭焕;王斌;吴雪;刘勇;钟怡;杨永晖;胡镜影;李孝权;黄彬 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L23/58 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于检测功率VDMOS寄生三极管效应测试结构，其技术特征在于所述结构中存在一个敏感区，敏感区一侧为模拟实际VDMOS单原胞沟道的模拟沟道区，另一侧为模拟实际VDMOS单原胞接触孔的模拟孔区。敏感区中的源区、阱区、重掺阱区和多晶硅层的尺寸、掺杂方式和相对距离与实际的VDMOS完全保持一致。所述源区通过单独引出的窗口进行开孔并连接金属电极,以解决常规VDMOS寄生三极管区发射区尺寸过小不易开孔的问题，同时避免了原VDMOS结构中寄生三极管区发射区和基区短接的问题。本实用新型能很好的解决平面型功率VDMOS器件的寄生三极管参数不便于在圆片级测试表征的问题,可广泛用于功率MOSFET的工艺制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 功率 vdmos 寄生 三极管 效应 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种用于检测功率VDMOS寄生三极管效应测试结构，其特征在于，包括衬底材料(1)、外延层(2)、栅氧层(3)、多晶层(4)、阱区(5)、源区(6)、重掺阱区(7)、介质层(8)和开孔区(9)；所述外延层(2)覆盖在衬底材料(1)之上；所述阱区(5)位于外延层(2)之上的部分表面；所述源区(6)嵌入阱区(5)的内部；所述重掺阱区(7)位于阱区(5)的内部，所述重掺阱区(7)与源区(6)不接触；所述栅氧层(3)覆盖在外延层(2)之上的部分表面，所述栅氧层(3)还覆盖在阱区(5)之上的部分表面；所述多晶层(4)覆盖在栅氧层(3)之上；所述介质层(8)覆盖在整体结构的上表面；所述开孔区(9)位于源区(6)在介质层(8)上的投影位置处；该测试结构的版图结构中包括一个敏感区(10)和一个源引出端(11)；所述敏感区(10)的一侧为模拟实际VDMOS单原胞沟道的模拟沟道区，另一侧为模拟实际VDMOS单原胞接触孔的模拟孔区；所述敏感区(10)的模拟沟道区中，源区(6)、阱区(5)和多晶层(4)的尺寸、掺杂方式和相对距离，与实际的VDMOS的源区和阱区保持一致；所述敏感区(10)的模拟孔区中，重掺阱区(7)的尺寸和掺杂方式应与实际的VDMOS保持一致；所述源引出端(11)分布在敏感区(10)两侧，所述源引出端(11)通过单独引出的源区(6)进行开孔并连接金属电极。
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