[实用新型]一种用于检测功率VDMOS寄生三极管效应测试结构

权利要求书

1.一种用于检测功率VDMOS寄生三极管效应测试结构，其特征在于，包括衬底材料(1)、外延层(2)、栅氧层(3)、多晶层(4)、阱区(5)、源区(6)、重掺阱区(7)、介质层(8)和开孔区(9)；

所述外延层(2)覆盖在衬底材料(1)之上；所述阱区(5)位于外延层(2)之上的部分表面；所述源区(6)嵌入阱区(5)的内部；所述重掺阱区(7)位于阱区(5)的内部，所述重掺阱区(7)与源区(6)不接触；所述栅氧层(3)覆盖在外延层(2)之上的部分表面，所述栅氧层(3)还覆盖在阱区(5)之上的部分表面；所述多晶层(4)覆盖在栅氧层(3)之上；所述介质层(8)覆盖在整体结构的上表面；所述开孔区(9)位于源区(6)在介质层(8)上的投影位置处；

该测试结构的版图结构中包括一个敏感区(10)和一个源引出端(11)；

所述敏感区(10)的一侧为模拟实际VDMOS单原胞沟道的模拟沟道区，另一侧为模拟实际VDMOS单原胞接触孔的模拟孔区；

所述敏感区(10)的模拟沟道区中，源区(6)、阱区(5)和多晶层(4)的尺寸、掺杂方式和相对距离，与实际的VDMOS的源区和阱区保持一致；

所述敏感区(10)的模拟孔区中，重掺阱区(7)的尺寸和掺杂方式应与实际的VDMOS保持一致；

所述源引出端(11)分布在敏感区(10)两侧，所述源引出端(11)通过单独引出的源区(6)进行开孔并连接金属电极。