[发明专利]一种提高存储单元区与控制电路区侧墙厚度差的方法

摘要

本发明提供一种提高存储单元区与控制电路区侧墙厚度差的方法，适用于非易失性闪存，包括：提供一复合结构；于一反应腔中采用第一反应压力在衬底上依次沉积第一S_iO₂层和层，采用第二反应压力在衬底上沉积第二S_iO₂层，第一S_iO₂层、层及第二S_iO₂层构成覆盖栅极结构侧壁的第一侧墙和覆盖间隔结构侧壁的第二侧墙，第一反应压力大于第二反应压力，第一侧墙中的第二S_iO₂层厚度小于第二侧墙中的第二S_iO₂层厚度。本发明的有益效果：能够提高非易失性闪存存储单元区与控制电路区侧墙厚度差，在保证存储单元区性能的前提下，提高控制电路区的高温击穿电压，加大离子注入的调节空间，改善MOS管的性能。

主权项

1.一种提高存储单元区与控制电路区侧墙厚度差的方法，适用于非易失性闪存，包括：步骤S1、提供一复合结构，复合结构具有存储单元区和控制电路区，复合结构包括衬底、位于存储单元区的衬底上的栅极结构及位于控制电路区的衬底上的间隔结构；其特征在于，方法还包括：步骤S2、于一反应腔中采用预设的第一反应压力在衬底上依次沉积第一厚度的第一SiO2层和第二厚度的Si3O4层，于反应腔中采用预设的第二反应压力在衬底上沉积第三厚度的第二SiO2层，第一SiO2层、Si3O4层及第二SiO2层构成覆盖栅极结构侧壁的第一侧墙和覆盖间隔结构侧壁的第二侧墙，第一反应压力大于第二反应压力，第一侧墙中的第二SiO2层厚度小于第二侧墙中的第二SiO2层厚度且具有一预设的厚度差。