[发明专利]一种沟槽型功率MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 201710891945.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107658341B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄平 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 陈骏键 |
| 地址： | 201414 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的沟槽型功率MOSFET，包括由下至上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P‑body注入层以及P+注入层，在P‑body注入层上刻蚀出若干间隔分布且穿过所述P+注入层的浅槽，每一浅槽的底部设置有一N+源极层，在N‑外延层上位于每一浅槽的中间位置刻蚀出一由上至下依次穿过N+源极层、P‑body注入层的栅极沟槽，每一栅极沟槽的底面以及四周侧面上设置有一层栅氧层，每一栅极沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，在原位掺杂多晶硅的顶面上附着一层二氧化硅层；在P+注入层上淀积一层金属层，金属层将每一浅槽填充并将N+源极层和P+注入层连接起来。还公开了其制备方法。本发明有效地降低了器件的间距宽度，降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率MOSFET，包括由下至上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P‑body注入层以及P+注入层，其特征在于，在所述P‑body注入层上刻蚀出若干间隔分布且穿过所述P+注入层的浅槽，每一浅槽的底部设置有一N+源极层，在所述N‑外延层上位于每一浅槽的中间位置刻蚀出一由上至下依次穿过N+源极层、P‑body注入层的栅极沟槽，每一栅极沟槽的底面以及四周侧面上设置有一层栅氧层，每一栅极沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，填充在所述栅极沟槽内的原位掺杂多晶硅的顶面与所述N+源极层的上表面平齐，且在所述原位掺杂多晶硅的顶面上附着一层二氧化硅层；在所述P+注入层上淀积一层金属层，所述金属层将每一浅槽填充并将所述N+源极层和P+注入层连接起来。
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