[发明专利]改善的功率MOS有效
| 申请号： | 201710830399.X | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107819035B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·托马斯·皮克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;井杰 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改善的功率MOS。公开了一种制造器件的工艺。该工艺包括：在衬底上形成第一导电类型的外延层；在外延层中形成第二导电类型的第一垂直部分；通过靠近第一垂直部分垂直刻蚀来创建第一垂直沟槽；用第一类型氧化物填充第一垂直沟槽；在第一垂直沟槽中形成第二垂直沟槽。第二垂直沟槽由第一垂直沟槽中的第一类型氧化物来限定。该工艺还包括：在第二垂直沟槽的内壁上形成第二类型氧化物；用多晶硅填充第二垂直沟槽。在外延层的垂直靠近第一垂直沟槽的第二垂直部分中，通过注入第一导电类型的离子来创建本体区，并且通过在本体区的顶层中注入离子来创建源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 功率 mos | ||
【主权项】：
一种制造器件的工艺，所述工艺包括：在衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层中形成第二导电类型的第一垂直部分；通过靠近所述第一垂直部分进行垂直刻蚀来创建第一垂直沟槽；用第一类型氧化物填充所述第一垂直沟槽；在所述第一垂直沟槽中形成第二垂直沟槽，其中，所述第二垂直沟槽由所述第一垂直沟槽中的所述第一类型氧化物来限定；在所述第二垂直沟槽的内壁上形成第二类型氧化物；用多晶硅填充所述第二垂直沟槽；在所述外延层的垂直靠近所述第一垂直沟槽的第二垂直部分中，注入所述第一导电类型的离子来创建本体区；以及在所述第二垂直部分中，注入离子以在所述本体区的顶层中创建源极区。
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