[发明专利]半导体功率器件及其制作方法

摘要

本发明提出了半导体功率器件及其制作方法，该半导体功率器件包括：漂移区；P‑阱区，设置在漂移区的一侧；P+区，设置在P‑阱区远离漂移区的一侧；N+有源区，设置在P+区远离漂移区的一侧；栅氧层，设置在P‑阱区远离漂移区的一侧；栅极，设置在栅氧层远离漂移区的一侧；隔离氧化层，设置在栅极远离漂移区的一侧；侧墙层，设置在N+有源区远离漂移区的一侧，且与栅氧层、栅极和隔离氧化层的侧壁直接接触；以及正面接触电极，设置在P+区、侧墙层和隔离氧化层的远离漂移区的一侧。本发明所提出的半导体功率器件，新增的侧墙层能使解决光刻工艺对偏问题，同时还可缩小的宽度，从而使其稳定性更好、功率器件面积更小、集成度更高且生产成本更低。

主权项

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：漂移区；P‑阱区，所述P‑阱区设置在所述漂移区的一侧；P+区，所述P+区设置在所述P‑阱区远离所述漂移区的一侧；N+有源区，所述N+有源区设置在所述P+区远离所述漂移区的一侧；栅氧层，所述栅氧层设置在所述P‑阱区远离所述漂移区的一侧；栅极，所述栅极设置在所述栅氧层远离所述漂移区的一侧；隔离氧化层，所述隔离氧化层设置在所述栅极远离所述漂移区的一侧；侧墙层，所述侧墙层设置在所述N+有源区远离所述漂移区的一侧，且与所述栅氧层、所述栅极和所述隔离氧化层的侧壁直接接触；以及正面接触电极，所述正面接触电极设置在所述P+区、所述侧墙层和所述隔离氧化层的远离所述漂移区的一侧。