[发明专利]半导体功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：

漂移区；

P-阱区，所述P-阱区设置在所述漂移区的一侧；

P⁺区，所述P⁺区设置在所述P-阱区远离所述漂移区的一侧；

N⁺有源区，所述N⁺有源区设置在所述P⁺区远离所述漂移区的一侧；

栅氧层，所述栅氧层设置在所述P-阱区远离所述漂移区的一侧；

栅极，所述栅极设置在所述栅氧层远离所述漂移区的一侧；

隔离氧化层，所述隔离氧化层设置在所述栅极远离所述漂移区的一侧；

侧墙层，所述侧墙层设置在所述N⁺有源区远离所述漂移区的一侧，且与所述栅氧层、所述栅极和所述隔离氧化层的侧壁直接接触；以及

正面接触电极，所述正面接触电极设置在所述P⁺区、所述侧墙层和所述隔离氧化层的远离所述漂移区的一侧；

其中，基于所述栅极和所述隔离氧化层形成的开口，通过注入N⁺离子形成所述N⁺有源区；基于所述栅极和所述隔离氧化层形成的开口，通过注入硼离子形成所述P⁺区；

在所述栅氧层、所述隔离氧化层远离所述漂移区的一侧，通过对介质隔离层进行刻蚀得到所述侧墙层；所述侧墙层的厚度为

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述侧墙层由氧化硅形成。

3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述隔离氧化层由氧化硅形成。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述隔离氧化层的厚度为

5.一种制作半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：

提供漂移区，其中，所述漂移区的一侧形成有栅氧层；

在所述栅氧层远离所述漂移区的一侧形成栅极和隔离氧化层；

在所述漂移区的一侧形成P-阱区、P⁺区和N⁺有源区；其中，所述N⁺有源区是在所述栅极和所述隔离氧化层的开口处，注入N⁺离子再高温推结处理并激活形成；所述P⁺区是在形成了N⁺有源区后，注入硼离子形成；

在形成所述P-阱区、所述P⁺区和所述N⁺有源区之后，于所述栅氧层和所述隔离氧化层的远离所述漂移区的一侧形成介质隔离层，通过对所述介质隔离层进行刻蚀得到侧墙层，形成所述侧墙层后刻穿所述栅氧层；

以所述侧墙层为掩膜刻穿所述N⁺有源区，形成金属接触孔；

在所述P⁺区、所述侧墙层和所述隔离氧化层的远离所述漂移区的一侧，形成正面接触电极；

所述侧墙层的厚度为

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成栅极和隔离氧化层的过程进一步包括：

在所述栅氧层远离所述漂移区的一侧依次形成栅层和氧化层，在通过一次构图工艺形成具有相同图案的所述栅极和所述隔离氧化层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，刻蚀出侧墙层的方法为干法刻蚀。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，刻穿所述N⁺有源区的方法为干法刻蚀。