[实用新型]一种垂直叠阵高功率半导体激光器

摘要

本实用新型提出了一种垂直叠阵高功率半导体激光器，包括一个或者多个自下而上依次叠加的半导体激光器单元，所述的半导体激光器单元包括制冷片和多个激光芯片，半导体激光器单元的制冷片包括制冷片主体，制冷片主体为片状结构，制冷片主体的一端为不完整的多边形结构，多边形的每一条边均设置一个芯片安装区。本方案消除了多个半导体激光器水平排列使用时产生的光斑中间暗区，提高了光斑的均匀性，此外可以减小半导体激光器的光斑工作平面的距离，尤其在激光医疗的应用中突显优势，减小了激光医疗系统的体积。

主权项

一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：包括一个或者多个自下而上依次叠加的半导体激光器单元；所述的半导体激光器单元包括制冷片和多个激光芯片，所述的半导体激光器单元的制冷片包括制冷片主体，制冷片主体为片状结构，制冷片主体的一端为不完整的多边形结构，多边形相邻的两条边的夹角θ取值范围为160°<θ<180°，多边形的每一条边均设置一个芯片安装区，芯片安装区为激光芯片安装的位置；所述的激光芯片的个数与制冷片的芯片安装区个数相等，激光芯片分别对应焊接在制冷器的芯片安装区上，所述的多个激光芯片发出的光束的中心光轴存在交点。