[实用新型]一种垂直叠阵高功率半导体激光器

权利要求书

1.一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：包括一个或者多个自下而上依次叠加的半导体激光器单元；所述的半导体激光器单元包括制冷片和多个激光芯片，所述的半导体激光器单元的制冷片包括制冷片主体，制冷片主体为片状结构，制冷片主体的一端为不完整的多边形结构，多边形相邻的两条边的夹角θ取值范围为160°<θ<180°，多边形的每一条边均设置一个芯片安装区，芯片安装区为激光芯片安装的位置；所述的激光芯片的个数与制冷片的芯片安装区个数相等，激光芯片分别对应焊接在制冷器的芯片安装区上，所述的多个激光芯片发出的光束的中心光轴存在交点。

2.根据权利要求1所述的一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：所述的制冷片为宏通道型液体制冷片，或者为微通道型液体制冷器片。

3.根据权利要求2所述的一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：所述的宏通道型液体制冷片为制冷片主体上分布有贯通制冷片上表面和下表面的通液孔，所述的相邻的半导体激光器单元的制冷片的通液孔依次连通。

4.根据权利要求2所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述的微通道型液体制冷片为制冷片主体上设置有入液孔和出液孔，且制冷片内部分布有液体制冷通道，该液体制冷通道与入液孔，出液孔相互连通。

5.根据权利要求3所述的一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：所述的宏通道型液体制冷片的通液孔直径为0.3毫米—3毫米。

6.根据权利要求4所述的一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：所述的微通道型液体制冷片的液体制冷通道直径为0.1毫米—1毫米。

7.根据权利要求1所述的一种垂直叠阵高功率半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光器单元的制冷片的材料为铜。