[发明专利]一种提高视频图形阵列面积利用率的装置在审
申请号: | 201510876348.1 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN105656444A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 卢微鸽 | 申请(专利权)人: | 上海斐讯数据通信技术有限公司 |
主分类号: | H03G3/30 | 分类号: | H03G3/30 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出一种提高视频图形阵列面积利用率的装置,所述装置包括四级NMOS,其中第一级NMOS的控制端和第一输入电压连接,输入端和电源电压连接,用于作为负载电阻;第二级NMOS的控制端分别和正电压和负电压连接,输入端和所述第一级NMOS的输出端连接,用于输出差分信号;第三级NMOS的控制端和控制电压连接,输入端和所述第二级NMOS的输出端连接,用于输出控制信号;第四级NMOS的控制端和第二输入电压连接,输入端和所述第三级NMOS的输出端连接,输出端接地。本发明能够提高VGA电路的视频图形阵列面积利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 视频 图形 阵列 面积 利用率 装置 | ||
【主权项】:
一种提高视频图形阵列面积利用率的装置,其特征在于,所述装置的电路至少包括四级N型金属‑氧化物‑半导体单元,其中,第一级N型金属‑氧化物‑半导体单元的控制端和第一输入电压连接,输入端和电源电压连接,用于作为负载电阻;第二级N型金属‑氧化物‑半导体单元的控制端连接一差分电压,输入端和所述第一级N型金属‑氧化物‑半导体单元的输出端连接,用于输出差分信号;第三级N型金属‑氧化物‑半导体单元的控制端和控制电压连接,输入端和所述第二级N型金属‑氧化物‑半导体单元的输出端连接,用于输出控制信号;第四级N型金属‑氧化物‑半导体单元的控制端和第二输入电压连接,输入端和所述第三级N型金属‑氧化物‑半导体单元的输出端连接,输出端接地。
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