[发明专利]一种提高视频图形阵列面积利用率的装置

权利要求书

1.一种提高视频图形阵列面积利用率的装置，其特征在于，所述 装置的电路至少包括四级N型金属-氧化物-半导体单元，其中，

第一级N型金属-氧化物-半导体单元的控制端和第一输入电压连 接，输入端和电源电压连接，用于作为负载电阻；

第二级N型金属-氧化物-半导体单元的控制端连接一差分电压，输 入端和所述第一级N型金属-氧化物-半导体单元的输出端连接，用于输 出差分信号；

第三级N型金属-氧化物-半导体单元的控制端和控制电压连接，输 入端和所述第二级N型金属-氧化物-半导体单元的输出端连接，用于输 出控制信号；

第四级N型金属-氧化物-半导体单元的控制端和第二输入电压连 接，输入端和所述第三级N型金属-氧化物-半导体单元的输出端连接， 输出端接地。

2.如权利要求1所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第一级N型金属-氧化物-半导体单元包括第一N型金属 -氧化物-半导体子单元和第二N型金属-氧化物-半导体子单元；

所述第一N型金属-氧化物-半导体子单元和第二N型金属-氧化物- 半导体子单元的漏极均和电源电压连接，栅极均和第一输入电压连接。

3.如权利要求2所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第一N型金属-氧化物-半导体子单元和第二N型金属- 氧化物-半导体子单元导通后的导通电阻作为负载电阻。

4.如权利要求3所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第二级N型金属-氧化物-半导体单元包括第三N型金属 -氧化物-半导体子单元和第四N型金属-氧化物-半导体子单元；

所述第三N型金属-氧化物-半导体子单元的漏极和第一N型金属- 氧化物-半导体子单元的源极连接，第四N型金属-氧化物-半导体子单元 的漏极和第二N型金属-氧化物-半导体子单元的源极连接，所述第三N 型金属-氧化物-半导体子单元和所述第四N型金属-氧化物-半导体子单 元的栅极连接所述差分。

5.如权利要求4所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第三N型金属-氧化物-半导体子单元接收第一N型金属 -氧化物-半导体子单元的传输信号，第四N型金属-氧化物-半导体子单 元接收第二N型金属-氧化物-半导体子单元的的传输信号；

第三N型金属-氧化物-半导体子单元和第四N型金属-氧化物-半导 体子单元对输入的传输信号进行差分传输形成差分信号。

6.如权利要求5所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第三级N型金属-氧化物-半导体单元包括第五N型金属 -氧化物-半导体子单元和第六N型金属-氧化物-半导体子单元；

所述第五N型金属-氧化物-半导体子单元的漏极和第三N型金属- 氧化物-半导体子单元的源极连接，栅极和控制电压连接；第六N型金 属-氧化物-半导体子单元的漏极和第四N型金属-氧化物-半导体子单元 连接，栅极和控制电压连接。

7.如权利要求6所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第五N型金属-氧化物-半导体子单元和第六N型金属- 氧化物-半导体子单元接收第三级N型金属-氧化物-半导体单元和第四 级N型金属-氧化物-半导体单元传输的差分信号，并对差分信号进行电 压控制。

8.如权利要求7所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，所述第四级N型金属-氧化物-半导体单元，包括第七N型金 属-氧化物-半导体子单元；

所述第七N型金属-氧化物-半导体子单元的漏极分别和第五N型金 属-氧化物-半导体子单元和第六N型金属-氧化物-半导体子单元的源极 连接，栅极和第二输入电压连接，源极接地。

9.如权利要求8所述的提高视频图形阵列面积利用率的装置，其 特征在于，通过改变第二输入电压调节所述第七N型金属-氧化物-半导 体单元提供的工作电流。

10.如权利要求1～9中任一项所述的提高视频图形阵列面积利用 率的装置，其特征在于，所述装置的电路中还包括：隔离所述四级N型 金属-氧化物-半导体单元的隔离环。