[发明专利]一种提高半导体晶片键合对准精度的方法

摘要

本发明公开了一种提高半导体晶片键合对准精度的方法，其主要包括分别在两块半导体晶片上沉积介质层、旋涂光刻胶、光刻、去除光刻胶、在一块半导体晶片上旋涂BCB，最后借助光刻形成的两个相互嵌合的图形进行对准、键合。相对于现有技术，本发明方法采用简单的对准图形相互嵌入的方法，减少因为半导体圆片键合时BCB流动而产生对准偏差的问题，提高半导体圆片间BCB键合的对准精度。

主权项

一种提高半导体晶片键合对准精度的方法，其特征在于，其主要由以下步骤所组成：(1)分别在待键合的半导体晶片1和半导体晶片2上生长沉积一层介质层；(2)分别在半导体晶片1和半导体晶片2旋涂光刻胶，然后光刻形成对准图形1和对准图形2，所述对准图形1和对准图形2能够相互嵌合；(3)将半导体晶片1和半导体晶片2烘烤，然后分别以介质层上方的对准图形1和对准图形2作为掩膜，刻蚀介质层，在介质层上形成对准图形3和对准图形4，最后去掉光刻胶；(4)在半导体晶片1正面旋涂苯并环丁烯，烘烤；(5)将所述对准图形3和对准图形4对准嵌合，键合。