[发明专利]一种提高半导体晶片键合对准精度的方法在审
| 申请号： | 201510007896.0 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104617029A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吴立枢;赵岩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 郑立发 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 晶片 对准 精度 方法 | ||
1.一种提高半导体晶片键合对准精度的方法，其特征在于，其主要由以下步骤所组成：
(1)分别在待键合的半导体晶片1和半导体晶片2上生长沉积一层介质层；
(2)分别在半导体晶片1和半导体晶片2旋涂光刻胶，然后光刻形成对准图形1和对准图形2，所述对准图形1和对准图形2能够相互嵌合；
(3)将半导体晶片1和半导体晶片2烘烤，然后分别以介质层上方的对准图形1和对准图形2作为掩膜，刻蚀介质层，在介质层上形成对准图形3和对准图形4，最后去掉光刻胶；
(4)在半导体晶片1正面旋涂苯并环丁烯，烘烤；
(5)将所述对准图形3和对准图形4对准嵌合，键合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片为半导体圆片。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体圆片为硅片。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为1-2微米。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中烘烤时间为2-5分钟，烘烤温度为90-120℃，刻蚀深度为0.5-1微米。
6.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中的旋涂苯并环丁烯，其条件为转速3000转/分，时间为30秒，厚度为1微米。
7.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中烘烤时间为2-5分钟，烘烤温度为100-110℃。
8.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述对准图形3的直径为500微米，所述对准图形4的内环直径为502微米，外环直径为700微米。
9.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述步骤(5)中键合温度为250-300℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
