[发明专利]一种功率放大电路及发射机有效
| 申请号： | 201480000696.6 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105308858B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张小敏;黄安;焦留彦 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种能够提高低频谐振频率、设计更加灵活的功率放大电路，该功率放大电路包括功放管芯(die)、第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)、直流去耦电容(CLF)和输出匹配网络，其中：该功放管芯(die)的漏极通过邦定线(LB1)连接该第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)的第一端，该第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)的第二端接地；该功放管芯(die)的漏极通过邦定线(LB2)直接连接该输出匹配网络；该功放管芯(die)的源极接地；该第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)的第一端通过邦定线(LB3)连接该直流去耦电容(CLF)的一端；该直流去耦电容(CLF)的另一端接地。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 放大 电路 发射机 | ||
【主权项】：
1.一种功率放大电路，其特征在于，包括功放管芯、第一金属氧化物半导体电容、直流去耦电容和输出匹配网络，其中：所述功放管芯的漏极通过邦定线连接所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，所述第一金属氧化物半导体电容的第二端接地；所述功放管芯的漏极通过邦定线直接连接所述输出匹配网络；所述功放管芯的源极接地；所述第一金属氧化物半导体电容的第一端通过邦定线连接所述直流去耦电容的一端；所述直流去耦电容的另一端接地；所述功率放大电路还包括第二金属氧化物半导体电容，所述功放管芯的漏极具体通过两段邦定线直接连接所述输出匹配网络，所述两段邦定线之间的接线端连接所述第二金属氧化物半导体电容的第一端，所述第二金属氧化物半导体电容的第二端接地；所述功率放大电路还包括连接输出匹配网络的漏极偏置电路。
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