[发明专利]一种功率放大电路及发射机

权利要求书

1.一种功率放大电路，其特征在于，包括功放管芯、第一金属氧化物半导体电容、直流去耦电容和输出匹配网络，其中：

所述功放管芯的漏极通过邦定线连接所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，所述第一金属氧化物半导体电容的第二端接地；

所述功放管芯的漏极通过邦定线直接连接所述输出匹配网络；所述功放管芯的源极接地；

所述第一金属氧化物半导体电容的第一端通过邦定线连接所述直流去耦电容的一端；

所述直流去耦电容的另一端接地；

所述功率放大电路还包括第二金属氧化物半导体电容，所述功放管芯的漏极具体通过两段邦定线直接连接所述输出匹配网络，所述两段邦定线之间的接线端连接所述第二金属氧化物半导体电容的第一端，所述第二金属氧化物半导体电容的第二端接地；

所述功率放大电路还包括连接输出匹配网络的漏极偏置电路。

2.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，具体通过邦定线连接至功率放大电路所在的印刷电路板上的微带线，所述微带线连接所述直流去耦电容的一端。

3.如权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，具体通过邦定线连接至功率放大电路所在的印刷电路板上所述第一金属氧化物半导体电容和所述输出匹配网络之间的微带线。

4.如权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，具体通过邦定线连接至功率放大电路所在的印刷电路板上所述第一金属氧化物半导体电容侧面的微带线。

5.如权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，具体通过邦定线连接至功率放大电路所在的印刷电路板上所述输出匹配网络侧面的微带线。

6.如权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，还包括输入匹配网络，所述功放管芯的栅极通过邦定线直接连接所述输入匹配网络。

7.如权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，所述直流去耦电容具体为纳法级电容或微法级电容。

8.一种发射机，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的功率放大电路。