[发明专利]一种功率放大电路及发射机

说明书

一种能够提高低频谐振频率、设计更加灵活的功率放大电路，该功率放大电路包括功放管芯(die)、第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)、直流去耦电容(CLF)和输出匹配网络，其中：该功放管芯(die)的漏极通过邦定线(LB1)连接该第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)的第一端，该第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)的第二端接地；该功放管芯(die)的漏极通过邦定线(LB2)直接连接该输出匹配网络；该功放管芯(die)的源极接地；该第一金属氧化物半导体电容(Moscap1)的第一端通过邦定线(LB3)连接该直流去耦电容(CLF)的一端；该直流去耦电容(CLF)的另一端接地。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，特别涉及一种功率放大电路及发射机。

背景技术

功率放大电路是通信系统中发射机的一个重要组成部分，如图1所示，功率放大电路主要包括输入匹配网络、功放管和输出匹配网络三部分。现有的一种功放管如图2所示，功放管通过封装管脚来连接输入匹配网络和输出匹配网络。其内部具体结构如图3所示，包括封装在一起的功放管芯die(通常为有源器件，功率放大的核心部分)和金属氧化物半导体电容Moscap。图3中LB0、LB1和LB2为用于连接分离部件的邦定线(bonding wire，指的是连接两个分离的部件的金属键合线，通常为金丝或者铝丝，在器件内部经常用到，在10G以下表现为电感特性)，其中邦定线LB0具体用于连接功放管芯die的栅极和功放管输入管脚，邦定线LB1具体用于连接功放管芯die的漏极和金属氧化物半导体电容Moscap，邦定线LB2具体用于连接功放管芯die的漏极和功放管输出管脚。

图4为采用图3所示功放管的功率放大电路的输出端的等效电路，Ropt为功放管芯die工作时的输出阻抗，Cds为功放管芯die的漏极和源极之间的寄生电容。输出端的低频谐振回路由功放管、输出匹配网络以及输出匹配网络输出端连接的接地的后端网络构成，输出端的低频谐振回路中的电感和电容决定了低频谐振频率，若电感较大，则会导致低频谐振频率较低。

而在目前的很多通信网络中，不希望发射机的功率放大电路的低频谐振频率较低。例如在3G(3^rd generation，第三代移动通信技术)网络和4G(4^th generation，第四代移动通信技术)网络中，调制信号均为宽带信号，该调制信号转换为射频信号后通过发射机中的功率放大电路发射出去。为保证网络中的邻道干扰(adjacent channel interference)符合协议要求，射频功率放大链路需要进行DPD(Digital Pre-Distortion，数字预失真)校正。若功率放大电路的低频谐振频率较低，则会导致射频信号的包络信号在功率放大电路输出端的阻抗变化较大，进而导致功率放大电路在不同时刻特性变化较大，基于DPD校正原理，功率放大电路在不同时刻特性变化较大会使DPD校正效果较差，影响了功率放大电路的可支持信号带宽。

因此，如何提高功率放大电路的低频谐振频率越来越成为现代技术研究的热点。

发明内容

本发明实施例提供一种功率放大电路及发射机，用以提高功率放大电路的低频谐振频率。

第一方面，提供一种功率放大电路，包括功放管芯、第一金属氧化物半导体电容、直流去耦电容和输出匹配网络，其中：

所述功放管芯的漏极通过邦定线连接所述第一金属氧化物半导体电容的第一端，所述第一金属氧化物半导体电容的第二端接地；

所述功放管芯的漏极通过邦定线直接连接所述输出匹配网络；所述功放管芯的源极接地；

所述第一金属氧化物半导体电容的第一端通过邦定线连接所述直流去耦电容的一端；

所述直流去耦电容的另一端接地。