[实用新型]一种双多晶硅功率MOS管

摘要

本实用新型公开一种双多晶硅功率MOS管，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本实用新型利用双多晶硅结构(源极多晶硅和栅极多晶硅)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小栅极和漏极之间以及栅极和源极的电容，从而大幅减少栅极开关时的充电时间(栅极电荷密度可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻的影响，实现低内阻。

主权项

一种双多晶硅功率MOS管，其特征在于：主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成；其中N型外延层位于N+衬底的正上方；N型外延层的中部开设有纵向延伸的深沟槽，厚氧化层覆于深沟槽的槽壁上；在覆有厚氧化层的深沟槽的槽中填充源极多晶硅；在源极多晶硅和N型外延层之间的厚氧化层内开设有纵向延伸的栅极沟槽，该栅极沟槽在靠近源极多晶硅的一侧留存有一定厚度的厚氧化层，栅极沟槽在靠近N型外延层的一侧则挖到N型外延层处；栅极沟槽内填充有栅极多晶硅；栅极氧化层位于栅极沟槽的外侧，并呈纵向延伸；体区P位于栅极氧化层的外侧；源区N+位于栅极氧化层的外侧，并处于体区P的正上方；源区N+的外侧设有钨塞；P+区位于钨塞的底部，并处于体区P的上部；硼磷硅玻璃覆盖在源区N+、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层和栅极多晶硅的上方；源极位于钨塞和硼磷硅玻璃的正上方；漏极位于N+衬底的正下方。