[实用新型]一种双多晶硅功率MOS管有效
| 申请号： | 201420496425.1 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN204102906U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;李勇昌;彭顺刚;王常毅;邹锋;梁毅 | 申请（专利权）人： | 桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 功率 mos | ||
【权利要求书】：
1.一种双多晶硅功率MOS管，其特征在于：主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成；其中N型外延层位于N+衬底的正上方；N型外延层的中部开设有纵向延伸的深沟槽，厚氧化层覆于深沟槽的槽壁上；在覆有厚氧化层的深沟槽的槽中填充源极多晶硅；在源极多晶硅和N型外延层之间的厚氧化层内开设有纵向延伸的栅极沟槽，该栅极沟槽在靠近源极多晶硅的一侧留存有一定厚度的厚氧化层，栅极沟槽在靠近N型外延层的一侧则挖到N型外延层处；栅极沟槽内填充有栅极多晶硅；栅极氧化层位于栅极沟槽的外侧，并呈纵向延伸；体区P位于栅极氧化层的外侧；源区N+位于栅极氧化层的外侧，并处于体区P的正上方；源区N+的外侧设有钨塞；P+区位于钨塞的底部，并处于体区P的上部；硼磷硅玻璃覆盖在源区N+、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层和栅极多晶硅的上方；源极位于钨塞和硼磷硅玻璃的正上方；漏极位于N+衬底的正下方。
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