[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，将沟槽型双层栅功率MOS器件中的屏蔽电极及多晶硅栅极制作完成之后，通过全面刻蚀至沟槽中间特定深度，利用深孔接触的方法一次刻蚀同时引出，不再需要额外多一块光刻版定义出电极需要引出的区域，该深接触孔利用干法刻蚀高选择比的特性实现，避免了传统的屏蔽电极引出区域与周边区域的栅极多晶硅横向隔离问题，使得工作区域没有了横向隔离氧化层而得到很大扩张，在降低工艺成本及控制难度的基础上还有效提高器件工作性能。

主权项

一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在硅衬底上刻蚀形成沟槽后，表面淀积氧化层，再淀积屏蔽电极多晶硅填充沟槽并反刻去除硅衬底表面的多晶硅，在沟槽内形成屏蔽电极，去除屏蔽电极之上的沟槽侧壁上的氧化层；第2步，隔离介质层生长，覆盖屏蔽电极；第3步，第二层多晶硅生长及反刻，在沟槽内制作形成多晶硅栅极；第4步，光刻定义出屏蔽电极引出区，刻蚀掉所述引出区的多晶硅栅极；第5步，注入形成体区及源区，淀积硼磷硅玻璃形成层间介质，层间介质同时填满屏蔽电极引出区；第6步，屏蔽电极接触孔及多晶硅栅极接触孔第一次刻蚀，使接触孔穿透层间介质，所述接触孔底部分别接触到屏蔽电极和多晶硅栅极；第7步，接触孔第二次刻蚀，进一步向下刻蚀，分别使接触孔深入到屏蔽电极和多晶硅栅极，填入金属钨，形成引出屏蔽电极的深孔接触和引出多晶硅栅极的接触孔。