[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法

权利要求书

1.一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：

第1步，在硅衬底上刻蚀形成沟槽后，表面淀积氧化层，再淀积屏蔽电极多晶硅填充沟槽并反刻去除硅衬底表面的多晶硅，在沟槽内形成屏蔽电极，去除屏蔽电极之上的沟槽侧壁上的氧化层；

第2步，隔离介质层生长，覆盖屏蔽电极；

第3步，第二层多晶硅生长及反刻，在沟槽内制作形成多晶硅栅极；

第4步，光刻定义出屏蔽电极引出区，刻蚀掉所述引出区的多晶硅栅极；

第5步，注入形成体区及源区，淀积硼磷硅玻璃形成层间介质，层间介质同时填满屏蔽电极引出区；

第6步，屏蔽电极接触孔及多晶硅栅极接触孔第一次刻蚀，使接触孔穿透层间介质，所述接触孔底部分别接触到屏蔽电极和多晶硅栅极；

第7步，接触孔第二次刻蚀，进一步向下刻蚀，分别使接触孔深入到屏蔽电极和多晶硅栅极，填入金属钨，形成引出屏蔽电极的深孔接触和引出多晶硅栅极的接触孔。

2.如权利要求1所述的沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，其特征在于：所述第4步中，制作屏蔽电极引出区，是在多晶硅栅极制作形成之后，在多晶硅栅极上加一层光刻层定义出屏蔽电极引出区。

3.如权利要求1所述的沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，其特征在于：所述第4步中，屏蔽电极引出区域的多晶硅栅极需全部刻蚀掉，露出隔离介质层。

4.如权利要求1所述的沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，其特征在于：所述第4步中，屏蔽电极引出区的多晶硅栅极刻蚀后形成的凹坑一直保持到接触孔形成之前，直到利用所述第9步淀积的层间介质填充，形成所述屏蔽电极引出区域。

5.如权利要求1所述的沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，其特征在于：所述第6步的第一次刻蚀和第7步中的第二次刻蚀，利用具有高选择比特性的干法刻蚀，同时形成引出屏蔽电极的深孔接触和引出多晶硅栅极的接触孔。