[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法。

背景技术

在功率器件中，沟槽型双层栅功率MOS器件具有击穿电压高、导通电阻低、转换效率高、开关速度快的特性。其沟槽中的多晶硅具有上下两层，通常，源极多晶硅（位于沟槽底部的多晶硅）电极作为屏蔽电极与源极短接或者通单独引出，第二层多晶硅电极作为栅极。因而在一个沟槽内，会存在源极多晶硅引出端区域与栅极多晶硅横向接触的区域。如图1和图2所示，第一层多晶硅101与第二层多晶硅103之间靠HDP（高密度等离子体）氧化层102隔离。这两层多晶硅电极之间的氧化层厚度需要严格控制，否则会形成漏电或较低的击穿电压。目前的方法是利用源极多晶硅（第一层多晶硅）反刻之后生长的HDP氧化膜，加一层光刻版在HDP湿法反刻时横向覆盖住部分氧化膜使其不被刻蚀，最终在源极多晶硅引出端边上留下约的HDP氧化膜作为两层多晶硅之间的横向隔离介质层。其具体工艺步骤包括：（1）沟槽腐蚀；（2）源极多晶硅（沟槽底层多晶硅）淀积；（3）源极多晶硅第一步反刻蚀；（4）源极多晶硅光刻、源极多晶硅第二步反刻蚀；（5）HDP氧化膜淀积；（6）HDP-CMP（化学机械研磨）至剩余；（7）多晶硅淀积光刻后湿法腐蚀形成双层多晶硅横向隔离区域，同时在管芯区沟槽内的第一层多晶硅上进行剩余HDP氧化膜淀积；（8）栅氧化层生长、第二层多晶硅淀积、第二层多晶硅反刻蚀；（9）金属下介质层生长；（10）接触孔介质层刻蚀、接触孔硅刻蚀；（11）源极金属生长与刻蚀。

上述工艺方法存在如下几个问题：首先，完全依赖于HDP工艺，而且在现在改良的热氧方法生长的双层栅之间介质层的工艺中无法实现；其次，已有双层栅功率MOS器件存在因为HDP氧化膜刻蚀速率的起伏波动，以及湿法刻蚀各向同性的特性，使得横向隔离区域长度需要很大才可以保证两层多晶硅之间横向不会穿通，这样大大减少了工作区域面积，影响器件参数。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法。

为解决上述问题，本发明所述的一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，包含如下步骤：

第1步，在硅衬底上刻蚀形成沟槽后，表面淀积氧化层，再淀积屏蔽电极多晶硅填充沟槽并反刻去除硅衬底表面的多晶硅，在沟槽内形成屏蔽电极，去除屏蔽电极之上的沟槽侧壁上的氧化层；

第2步，隔离介质层生长，覆盖屏蔽电极；

第3步，第二层多晶硅生长及反刻，在沟槽内制作形成多晶硅栅极；

第4步，光刻定义出屏蔽电极引出区，刻蚀掉所述引出区的多晶硅栅极；

第5步，注入形成体区及源区，淀积硼磷硅玻璃形成层间介质，层间介质同时填满屏蔽电极引出区；

第6步，屏蔽电极接触孔及多晶硅栅极接触孔第一次刻蚀，使接触孔穿透层间介质，所述接触孔底部分别接触到屏蔽电极和多晶硅栅极；

第7步，接触孔第二次刻蚀，进一步向下刻蚀，分别使接触孔深入到屏蔽电极和多晶硅栅极，填入金属钨，形成引出屏蔽电极的深孔接触和引出多晶硅栅极的接触孔。

进一步地，所述第4步中，制作屏蔽电极引出区，是在多晶硅栅极制作形成之后，在多晶硅栅极上加一层光刻层定义出屏蔽电极引出区。

进一步地，所述第4步中，屏蔽电极引出区域的多晶硅栅极需全部刻蚀掉，露出隔离介质层。

进一步地，所述第4步中，屏蔽电极引出区的多晶硅栅极刻蚀后形成的凹坑一直保持到接触孔形成之前，直到利用所述第9步淀积的层间介质填充，形成所述屏蔽电极引出区域。

进一步地，所述第6步的第一次刻蚀和第7步中的第二次刻蚀，利用具有高选择比特性的干法刻蚀，同时形成引出屏蔽电极的深孔接触和引出多晶硅栅极的接触孔。

本发明所述的沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法，利用干法刻蚀高选择比的特性实现深孔接触引出屏蔽电极，省去定义源极多晶硅引出区域的光刻板，还避免了引出区域与周边区域的栅极多晶硅横向隔离问题，使得工作区域因为没有了横向隔离氧化层而得到很大扩张，在降低工艺成本及控制难度的基础上有效提高器件工作性能。

附图说明

图1是现有技术沟槽型双层栅结构剖面图；

图2是现有技术沟槽型双层栅引出区的剖面图；

图3～16是本发明的工艺步骤示意图；

图17是本发明工艺步骤流程图。

附图标记说明