[发明专利]具有梯度带隙分布的吸收层制备方法无效
| 申请号: | 201210518456.8 | 申请日: | 2012-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN102983222A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 彭春超;何保军;高文波;范垂祯 | 申请(专利权)人: | 许昌天地和光能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 461100 河南省许昌市许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种具有梯度带隙分布的吸收层制备方法,它利用真空方法制备一层吸收层薄膜,然后在上面使用涂布法再制备一层或多层不同带隙的吸收层薄膜,经过热处理后,形成具有梯度带隙的吸收层结构。本发明所提供的真空加涂布方法,解决了单独采用真空法或涂布法制备吸收层的很多固有缺点,可以制备具有梯度带隙结构的吸收层,对设备要求不苛刻,可以更好的控制CIGS吸收层的带隙分布,适合连续化生产。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 梯度 分布 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有梯度带隙分布的吸收层制备方法,其特征在于包含如下步骤:(1)在包含衬底的基板上采用真空方法制备一层铜铟镓硒、铜铟铝硒、铜铟硒或铜铟镓硒硫吸收层薄膜; (2)在步骤(1)生成的薄膜上面采用涂布法制备至少一层铜铟镓硒、铜铟铝硒、铜铟镓、铜铟硫或铜铟镓硒硫薄膜层; (3)在450OC~850OC的温度下,通过硒化热处理形成具有梯度带隙结构的吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





