[发明专利]具有梯度带隙分布的吸收层制备方法无效

专利信息
申请号: 201210518456.8 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN102983222A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 彭春超;何保军;高文波;范垂祯 申请(专利权)人: 许昌天地和光能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 461100 河南省许昌市许*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种具有梯度带隙分布的吸收层制备方法,它利用真空方法制备一层吸收层薄膜,然后在上面使用涂布法再制备一层或多层不同带隙的吸收层薄膜,经过热处理后,形成具有梯度带隙的吸收层结构。本发明所提供的真空加涂布方法,解决了单独采用真空法或涂布法制备吸收层的很多固有缺点,可以制备具有梯度带隙结构的吸收层,对设备要求不苛刻,可以更好的控制CIGS吸收层的带隙分布,适合连续化生产。
搜索关键词: 具有 梯度 分布 吸收 制备 方法
【主权项】:
一种具有梯度带隙分布的吸收层制备方法,其特征在于包含如下步骤:(1)在包含衬底的基板上采用真空方法制备一层铜铟镓硒、铜铟铝硒、铜铟硒或铜铟镓硒硫吸收层薄膜;    (2)在步骤(1)生成的薄膜上面采用涂布法制备至少一层铜铟镓硒、铜铟铝硒、铜铟镓、铜铟硫或铜铟镓硒硫薄膜层;    (3)在450OC~850OC的温度下,通过硒化热处理形成具有梯度带隙结构的吸收层。
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