[发明专利]一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法有效
| 申请号： | 201210500534.1 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102944984A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 袁伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法，该方法包括步骤为:设计拼接光刻版；依次进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；进行第二层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；测量得到第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果，利用该套刻测量结果来监测和补偿第二层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。本发明利用虚拟曝光场设置测量标记，再利用此测量标记的测量得到的套刻测量结果来监测和补偿拼接光刻精度，克服了芯片的尺寸大于光刻机的曝光视场的难题，提升大尺寸芯片产品光刻拼接精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 补偿 尺寸 芯片 产品 光刻 拼接 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：设计拼接光刻版； 步骤S02：进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光； 步骤S03：进行第二层曝光，包括对所述第二层曝光的大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；步骤S04: 以第一层曝光后得到的虚拟曝光场为基准，测量得到所述第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果；步骤S05：利用所述套刻测量结果来监测和补偿所述第二层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。
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