[发明专利]一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法

权利要求书

1.一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S01：设计拼接光刻版； 

步骤S02：进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光； 

步骤S03：进行第二层曝光，包括对所述第二层曝光的大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；

步骤S04: 以第一层曝光后得到的虚拟曝光场为基准，测量得到所述第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果；

步骤S05：利用所述套刻测量结果来监测和补偿所述第二层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。

2.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述第一层为集成电路制造工艺多个层次中的任意一层，第一层曝光为该任意一层的曝光，所述第二层为所述第一层的后续任意一层。

3.根据权利要求2所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述第二层为所述第一层的后续任意一层，所述第二层曝光为该后续任意一层的曝光。

4.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述虚拟曝光场包含所述拼接光刻版版图图形和测量标记，并且所述虚拟曝光场不大于光刻机最大视场尺寸。

5.根据权利要求1所述的一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：利用所述虚拟曝光场的测量标记来测量得到所述套刻测量结果。

6.根据权利要求2所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述测量标记为套刻监测标记或其他测量标记。

7.根据权利要求2所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述测量标记在光刻机最大视场尺寸内并且放置在所述拼接光刻版版图图形区的最外围四周。

8.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：在步骤S04中，分别利用第一层曝光和第二层曝光的所述虚拟曝光场的测量标记，来测量得到所述第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果。

9.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述的拼接光刻版版图图形是由小尺寸图形组合而成。

10.根据权利要求6所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述的小尺寸图形之间有遮光带。

11.根据权利要求5所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述测量标记与所述小尺寸图形之间的距离不小于所述遮光带尺寸的最小值。

12.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述虚拟曝光场是对所述拼接光刻版的版图图形进行一次曝光得到的。

13.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于，还可以重复步骤S03-S05进行后续的每一层曝光，监测和补偿对后续每一层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。

14.根据权利要求1所述一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于：所述大尺寸芯片，包括图像传感器类型的芯片。