[发明专利]用于功率MOS晶体管的装置和方法有效
| 申请号： | 201210436625.3 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103545370A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏柏智;周学良;伍震威;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/06;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种功率MOS晶体管包括形成在衬底的第一面上方的漏极接触塞；形成在衬底的第二面上方的源极接触塞和形成在第一漏极/源极区和第二漏极/源极区之间的沟槽。沟槽包括第一栅电极、第二栅电极，其中第一栅电极和第二栅电极的顶面与漏极区的底面对准。沟槽进一步包括形成在第一栅电极和第二栅电极之间的场板，其中，场板电连接至源极区。本发明提供用于功率MOS晶体管的装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 mos 晶体管 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一漏极/源极接触塞，形成在衬底的第一面的上方，其中，所述第一漏极/源极接触塞连接至第一漏极/源极区；第二漏极/源极接触塞，形成在所述衬底的第二面的上方，其中，所述第二漏极/源极接触塞连接至第二漏极/源极区；以及沟槽，形成在所述第一漏极/源极接触塞和所述第二漏极/源极接触塞之间，其中，所述沟槽包括：第一栅电极；第二栅电极，其中：所述第一栅电极和所述第二栅电极形成在所述沟槽的下部中；以及沿着所述沟槽的上部的侧壁形成两个漂移区；以及场板，形成在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，其中，所述场板电连接至所述第二漏极/源极区。
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