[发明专利]用于功率MOS晶体管的装置和方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一漏极/源极接触塞，形成在衬底的第一面的上方，其中，所述第一漏极/源极接触塞连接至第一漏极/源极区；

第二漏极/源极接触塞，形成在所述衬底的第二面的上方，其中，所述第二漏极/源极接触塞连接至第二漏极/源极区；以及

沟槽，形成在所述第一漏极/源极接触塞和所述第二漏极/源极接触塞之间，其中，所述沟槽包括：

第一栅电极；

第二栅电极，其中：

所述第一栅电极和所述第二栅电极形成在所述沟槽的下部中；以及

沿着所述沟槽的上部的侧壁形成两个漂移区；以及

场板，形成在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，其中，所述场板电连接至所述第二漏极/源极区。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

第一扩散区，包括第一n型漏极漂移区；以及

第二扩散区，包括第二n型漏极漂移区，其中，所述第一n型漏极漂移区和所述第二n型漏极漂移区相对于所述沟槽是对称的。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

p型外延层，形成在所述衬底上方；以及

p+区域，形成在所述p型外延层中，其中，所述p+区域电连接至所述场板。

4.根据权利要求3所述的装置，进一步包括：

第二n+区域，形成在所述沟槽的底面和所述p+区域之间。

5.一种器件，包括：

漏极区，具有第一导电类型，所述漏极区形成在具有第二导电类型的衬底上方；

源极区，具有所述第一导电类型，所述源极区形成在所述衬底上方；以及

沟槽，形成在所述漏极区和所述源极区之间，其中，所述沟槽包括：

第一栅电极；

场板，邻近所述第一栅电极形成，其中，所述第一栅电极和所述场板通过第一介电膜分开，并且，所述场板电连接至所述源极区；以及

第二栅电极，邻近所述场板形成，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极相对于所述场板是对称的。

6.根据权利要求5所述的器件，进一步包括：

第一漏极漂移区，连接至所述漏极区域；以及

第二漏极漂移区，连接至所述漏极区域，其中，所述第一漏极漂移区和所述第二漏极漂移区相对于所述沟槽是对称的。

7.根据权利要求5所述的器件，进一步包括：

第一外延层，具有所述第二导电类型，所述第一外延层形成在所述衬底上方；以及

第二外延层，具有所述第一导电类型，所述第二外延层形成在所述第一外延层上方。

8.一种方法，包括：

提供具有第二导电类型的衬底；

生长具有所述第二导电类型的第一外延层；

生长具有第一导电类型的第二外延层；

在所述第一外延层和所述第二外延层中形成沟槽；

在所述沟槽中形成第一栅电极；

在所述沟槽中形成第二栅电极；

分别使用所述第一栅电极和所述第二栅电极作为离子注入掩模实施离子注入工艺以形成第一漏极漂移区和第二漏极漂移区；

在所述沟槽中形成场板，其中，所述场板位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；

在所述第二外延层中形成漏极区，其中，所述漏极区具有所述第一导电类型；以及

在所述第一外延层中形成源极区，其中，所述源极区具有所述第一导电类型，并且其中所述源极区电连接至所述场板。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

沿着所述沟槽的第一侧壁形成所述第一漏极漂移区；以及

沿着所述沟槽的第二侧壁形成所述第二漏极漂移区，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极的上部与所述第一漏极漂移区和所述第二漏极漂移区的底部对准。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

用第一介电膜填充所述场板和所述第一栅电极之间的空闲空间。