[发明专利]一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法有效
| 申请号： | 201210225804.2 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102769019A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其中，包括以下步骤：S1：提供一P型衬底；S2：在所述衬底上制作一层隧穿氮化硅层和一层等电学厚度的隧穿氧化层；S3：在所述隧穿氧化层的表面制作一层存储氮化硅层；S4：在所述存储氮化硅层上制作一层阻挡氧化层；S5：在所述阻挡氧化层上制作多晶硅。本发明的目的是一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，具有较高的电荷保持能力，并且能够在编译和擦除的循环中可以防止擦状态的空穴进入界面的态，使器件的耐久能力提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 对称 分层 提高 sonns 结构 器件 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一P型衬底；S2：在所述衬底上制作一层隧穿氮化硅层和一层等电学厚度的隧穿氧化层；S3：在所述隧穿氧化层的表面制作一层存储氮化硅层；S4：在所述存储氮化硅层上制作一层阻挡氧化层；S5：在所述阻挡氧化层上制作多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
