[发明专利]一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法

权利要求书

1.一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一P型衬底；

S2：在所述衬底上制作一层隧穿氮化硅层和一层等电学厚度的隧穿氧化层；

S3：在所述隧穿氧化层的表面制作一层存储氮化硅层；

S4：在所述存储氮化硅层上制作一层阻挡氧化层；

S5：在所述阻挡氧化层上制作多晶硅。

2.根据权利要求1所述的非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，在执行步骤S2中，在所述P型衬底上制作一层2~3nm的隧穿氮化硅层，在所述隧穿氮化硅层上制作一层1.2~1.5nm的二氧化硅层作为隧穿氧化层。

3.根据权利要求2所述的非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，在所述隧穿氮化硅层上热生长一层1.2~1.5nm的二氧化硅层作为隧穿氧化层。

4.根据权利要求1所述的非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积工艺在所述隧穿氧化层的表面制作一层存储氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，所述存储氮化硅层的厚度为6~8nm。

6.根据权利要求1所述的非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，在步骤S4中，所述阻挡氧化层为经过高温致密化的阻挡氧化层。

7.根据权利要求6所述的非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，所述阻挡氧化层的厚度为6~8nm。