[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法

摘要

本发明的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，包括以下步骤：对所述浮体效应存储单元采用侧墙沉积工艺形成侧墙薄膜；采用刻蚀工艺蚀刻侧墙沉积后的所述浮体效应存储单元，所述刻蚀工艺具有密集/隔离效应；采用源漏重掺杂以及退火工艺。本发明的提高浮体效应存储单元写入速度的方法利用现有工艺，一方面提高了漏端沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面降低了积聚载流子从源端的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。

主权项

一种提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，以两个所述浮体效应存储单元为一组形成浮体效应存储单元组排列，所述两个浮体效应存储单元共用一个源端，所述浮体效应存储单元组中两个浮体效应存储单元的多晶硅栅间的距离小于两个所述浮体效应存储单元组之间的距离；步骤2，对所述浮体效应存储单元采用侧墙沉积工艺形成侧墙薄膜；步骤3，采用刻蚀工艺蚀刻侧墙沉积后的所述浮体效应存储单元并形成侧墙，所述刻蚀工艺具有密集/隔离效应；步骤4，采用源漏重掺杂以及退火工艺。