[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法

权利要求书

1.一种提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，以两个所述浮体效应存储单元为一组形成浮体效应存储单元组排列，所述两个浮体效应存储单元共用一个源端，所述浮体效应存储单元组中两个浮体效应存储单元的多晶硅栅间的距离小于两个所述浮体效应存储单元组之间的距离；步骤2，对所述浮体效应存储单元采用侧墙沉积工艺形成侧墙薄膜；

步骤3，采用刻蚀工艺蚀刻侧墙沉积后的所述浮体效应存储单元并形成侧墙，所述刻蚀工艺具有密集/隔离效应；

步骤4，采用源漏重掺杂以及退火工艺。

2.如权利要求1中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤3中刻蚀工艺采用干法刻蚀。

3.如权利要求1中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤3中的刻蚀工艺采用次常压化学气相刻蚀法进行刻蚀。

4.如权利要求3中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤3中的刻蚀工艺中的CH₂F₂气体的含量大于50%。

5.如权利要求1如权利要求1中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤2中形成侧墙薄膜的方法为热氧化或者化学汽相淀积。

6.如权利要求1如权利要求1中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤3中形成所述浮体效应存储单元源端的侧墙较宽，漏端侧墙较窄。

7.如权利要求1如权利要求1中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤4中掺杂工艺采用离子注入法。

8.如权利要求1如权利要求1中所述的提高浮体效应存储单元写入速度的方法，其特征在于，所述步骤1中两个所述浮体效应存储单元组之间设有沟槽隔离。