[发明专利]提高SOA能力的功率器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110310516.2 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412266A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高SOA能力的功率器件结构及方法，具有一个耐高压的第一型半导体衬底区，其上的第二型半导体体区与第一型半导体源区，漏区从背面引出；在硅片正面，有一个埋入体内的沟槽，为第二型半导体多晶硅，与衬底直接相连，侧壁与源区和体区相连；源区下方有一个第二型半导体区域与体区隔离，其浓度比体区高；源区在埋入的沟槽边缘其深度在水平方向与其他区域浓度，深度保持一致，不存在明显的扩散形成的柱面型分布结构。本发明可以缩小元胞面积，提高SOA能力，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 soa 能力 功率 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种提高SOA能力的功率器件结构，其特征在于，具有一个耐高压的第一型半导体衬底区，其上的第二型半导体体区与第一型半导体源区，漏区从背面引出；在硅片正面，有一个埋入体内的沟槽，为第二型半导体多晶硅，与衬底直接相连，侧壁与源区和体区相连；源区下方有一个第二型半导体区域与体区隔离，其浓度比体区高；源区在埋入的沟槽边缘其深度在水平方向与其他区域浓度，深度保持一致，不存在明显的扩散形成的柱面型分布结构。
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