[发明专利]具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法

摘要

一种具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，首先，形成至少二个栅极沟槽于基材内；然后，依序形成介电层与多晶硅结构于栅极沟槽内；随后，形成至少一个源极沟槽于相邻二个栅极沟槽之间；接下来，依序形成介电层与第二多晶硅结构于源极沟槽内，并且第二多晶硅结构位于源极沟槽的下部分；接下来，去除部分第二介电层以裸露源极区与本体区；最后，于源极沟槽内填入一导电结构，以电性连接第二多晶硅结构、本体区与源极区。本发明提供的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，可以有效缩减相邻栅极沟槽间的距离，以达到降低导通电阻的目的。

主权项

一种具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一基材；形成至少二个栅极沟槽于该基材内；形成一第一介电层覆盖所述栅极沟槽的内侧表面；形成一第一多晶硅结构于该栅极沟槽内；形成至少一个源极沟槽于相邻的该二个栅极沟槽之间；形成一第二介电层覆盖该源极沟槽的内侧表面；形成一第二多晶硅结构于该源极沟槽的下部分；形成一本体区于所述栅极沟槽间，该源极沟槽的深度大于该本体区的深度；形成一源极区于该本体区的上部分；去除部分该第二介电层以裸露该源极区与该本体区；以及于该源极沟槽内填入一导电结构，以电性连接该本体区与该源极区。