[发明专利]具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤：

提供一基材；

形成至少二个栅极沟槽于该基材内；

形成一第一介电层覆盖所述栅极沟槽的内侧表面；

形成一第一多晶硅结构于该栅极沟槽内；

形成至少一个源极沟槽于相邻的该二个栅极沟槽之间；

形成一第二介电层覆盖该源极沟槽的内侧表面；

形成一第二多晶硅结构于该源极沟槽的下部分；

形成一本体区于所述栅极沟槽间，该源极沟槽的深度大于该本体区的深度；

形成一源极区于该本体区的上部分；

去除部分该第二介电层以裸露该源极区与该本体区；以及

于该源极沟槽内填入一导电结构，以电性连接该本体区与该源极区。

2.如权利要求1所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，该源极沟槽的深度大于该栅极沟槽的深度，并且，该第二多晶硅结构的上表面位于该本体区底面的上方。

3.如权利要求1所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，在形成该源极沟槽的步骤前，更包括形成一层间介电结构覆盖该第一多晶硅结构，该层间介电结构同时定义该源极沟槽的位置。

4.如权利要求3所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，在形成该源极沟槽的步骤前，更包括以该层间介电结构为屏蔽，形成一重掺杂区于该本体区内。

5.如权利要求4所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，该源极沟槽贯穿该重掺杂区，并留下部分该重掺杂区于该源极沟槽的侧边。

6.如权利要求3所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，在形成该源极沟槽的步骤后，更包括：

以等向性蚀刻技术，缩减该层间介电结构的宽度，以裸露位于该层间介电结构下方的部分该本体区；

通过蚀刻后的该层间介电结构，蚀刻该本体区以形成一接触窗；以及

形成一重掺杂区于该接触窗底部。

7.如权利要求5所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，缩减该层间介电结构的宽度的步骤与去除部分该第二介电层的步骤同时进行。

8.如权利要求5所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，通过蚀刻后的该层间介电结构蚀刻该本体区的步骤同时去除部分该第二多晶硅结构，以使该第二多晶硅结构的上表面位于该第二介电层上缘的下方。

9.如权利要求3所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，在形成该源极沟槽的步骤后，更包括通过该层间介电结构，以斜向离子植入方式形成一重掺杂区于该源极沟槽的侧边。

10.如权利要求3所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，形成该源极沟槽的步骤包括：

形成一间隔层于该层间介电结构的侧面；以及

通过该间隔层蚀刻该本体区，以形成该源极沟槽。

11.如权利要求10所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，在形成该间隔层的步骤前，更包括以该层间介电结构为屏蔽，形成一重掺杂区于该本体区内。

12.如权利要求1所述的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，形成该源极沟槽的步骤早于形成该本体区的步骤。