[发明专利]功率MOS器件及功率MOS器件制造方法有效
| 申请号： | 201110142060.3 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102214695A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率MOS器件及功率MOS器件制造方法。根据本发明的功率MOS器件制造方法包括：有源区形成步骤，用于在衬底中形成有源区，有源区具体包括源极区域和漏极区域；栅极多晶硅淀积步骤，用于沉积栅极多晶硅；执行栅极刻蚀步骤，用于对栅极多晶硅进行刻蚀；N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成N型漂移区；以及P型漂移区离子注入步骤，用于在N型漂移区中的上部形成复合掺杂区域。根据本发明，由于P型漂移区离子注入步骤在N型漂移区NGRD中的上部进行P型离子注入，使得栅极下电场消弱，保护栅极氧化硅，改善器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS器件制造方法，其特征在于包括：有源区形成步骤，用于在衬底中形成有源区，有源区具体包括源极区域和漏极区域；栅极多晶硅淀积步骤，用于沉积栅极多晶硅；执行栅极刻蚀步骤，用于对栅极多晶硅进行刻蚀；N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成N型漂移区；以及P型漂移区离子注入步骤，用于在N型漂移区中的上部形成复合掺杂区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110142060.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
