[发明专利]功率MOS器件及功率MOS器件制造方法有效
| 申请号： | 201110142060.3 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102214695A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 制造 方法 | ||
1.一种功率MOS器件制造方法，其特征在于包括：
有源区形成步骤，用于在衬底中形成有源区，有源区具体包括源极区域和漏极区域；
栅极多晶硅淀积步骤，用于沉积栅极多晶硅；
执行栅极刻蚀步骤，用于对栅极多晶硅进行刻蚀；
N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成N型漂移区；以及
P型漂移区离子注入步骤，用于在N型漂移区中的上部形成复合掺杂区域。
2.根据权利要求1所述的功率MOS器件制造方法，其特征在于，栅极中的栅极氧化物的厚度为120A。
3.根据权利要求1或2所述的功率MOS器件制造方法，其特征在于，N型漂移区离子注入步骤采用的离子剂量高于P型漂移区离子注入步骤采用的离子剂量。
4.根据权利要求1或2所述的功率MOS器件制造方法，其特征在于，N型漂移区离子注入步骤采用的能量高于P型漂移区离子注入步骤采用的能量。
5.根据权利要求1或2所述的功率MOS器件制造方法，其特征在于，N型漂移区离子注入步骤与P型漂移区离子注入步骤采用相同的掩膜。
6.一种采用权利要求1至5之一所述的方法制成的功率MOS器件，其特征在于所述功率MOS器件包括有源区形，所述有源区形包括源极区域、漏极区域以及栅极，漏极区域中布置有N型漂移区，其中在N型漂移区中的上部形成有复合掺杂区域。
7.根据权利要求6所述的功率MOS器件，其特征在于，栅极中的栅极氧化物的厚度为120A。
8.根据权利要求6或7所述的功率MOS器件，其特征在于，所述源极区域和漏极区域被布置在高压P井中。
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