[发明专利]一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构有效
| 申请号： | 201110128037.9 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102214678A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张金平;李泽宏;李巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明在功率半导体器件的结终端耐压区【即：与器件有源区相连的P型重掺杂区(12)和结终端远端的N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)】的顶部引入一层P型掺杂层(19)，内部引入若干P型掺杂环(21)；在P型掺杂层(19)中还可引入均匀分布的N型掺杂区(20)，在结终端结构中还可引入位于P型掺杂层(19)中并延伸入P型掺杂环(21)内部的介质凹槽。本发明能够提高器件结终端单位长度的耐压，缩小终端的面积，降低器件的正向导通损耗；表面相对于漂移区较高的掺杂浓度有助于减小界面电荷对终端击穿电压的不利影响，并提高终端抗钝化层界面电荷的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 resurf 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的3D‑RESURF结终端结构，包括重掺杂层(15)、位于重掺杂层(15)背面的金属化阳极(14)、位于重掺杂层(15)正面的N层(16)、N层(16)顶部与功率半导体器件有源区相连的P型重掺杂区(12)、N层(16)顶部远离功率半导体器件有源区的N型重掺杂电场截止环(17)、P型重掺杂区(12)表面的金属化阴极(13)，以及覆盖除金属化阴极(14)之外的N层(16)表面的钝化层(18)；其特征在于，所述P型重掺杂区(12)与N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)顶部具有一层P型掺杂层(19)；所述P型重掺杂区(12)与N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)内部具有若干P型掺杂环(21)。
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