[发明专利]一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构有效
| 申请号： | 201110128037.9 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102214678A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张金平;李泽宏;李巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 resurf 终端 结构 | ||
1.一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，包括重掺杂层(15)、位于重掺杂层(15)背面的金属化阳极(14)、位于重掺杂层(15)正面的N层(16)、N层(16)顶部与功率半导体器件有源区相连的P型重掺杂区(12)、N层(16)顶部远离功率半导体器件有源区的N型重掺杂电场截止环(17)、P型重掺杂区(12)表面的金属化阴极(13)，以及覆盖除金属化阴极(14)之外的N层(16)表面的钝化层(18)；其特征在于，所述P型重掺杂区(12)与N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)顶部具有一层P型掺杂层(19)；所述P型重掺杂区(12)与N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)内部具有若干P型掺杂环(21)。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，其特征在于，所述重掺杂层(15)为N型重掺杂层，P型重掺杂层或N、P横向交替的重掺杂层。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，其特征在于，所述P型掺杂层(19)中还具有均匀分布的N型掺杂区(20)，所有N型掺杂区(20)在P型掺杂层(19)中构成N型掺杂阵列。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，其特征在于，所述功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构还包括凹槽，所述凹槽位于P型掺杂层(19)中并延伸入P型掺杂环(21)内部，且凹槽内填充有介质材料。
5.根据权利要求3所述的功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，其特征在于，所述功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构还包括凹槽，所述凹槽位于P型掺杂层(19)中并延伸入P型掺杂环(21)内部，且凹槽内填充有介质材料。
6.根据权利要求4或5述的功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，其特征在于，所述凹槽内填充的介质材料为氧化硅、氮化硅、多晶硅或半绝缘多晶硅。
7.根据权利要求1、3或4所述的功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，其特征在于，所述P型掺杂环(21)的结深由内向外依次降低。
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